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三星率先实现10nm级DRAM芯片量产年

2019-06-09 04:51:16来源:励志吧0次阅读

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英特尔的10nm CPU虽然被延期,但三星的10nm级DRAM芯片已经可供使用了。这家韩国厂商日前宣布,他们已经先于SK海力士和镁光实现了10nm DDR4芯片的量产。

三星表示,他们将在今年生产SIMM模块,容量从4GB到最高128GB不等。此外,他们还称将在近期推出10nm移动DRAM。

三星在去年发布了用于固态硬盘和其他存储产品的10nm NAND闪存,但将DRAM缩小至如此的尺寸要更加困难。这是因为内存的不稳定性需要电容器伴随着晶体管存在,也就是所又有这些元件都需要进行缩小。除此之外,三星还必须在几十纳米宽的晶体管上堆叠极窄的圆柱形电容器以存储大电荷,从而创造超过80亿个单元。如此一来,制作难度又被提高了好几倍。

为了实现生产,三星改良了自己的四重图形技术(最早用于NAND闪存),用光刻曝光来增加芯片功能的分辨率,并最终把芯片速度和能效都提高了20%(和20nm RAM相比)。虽然这种RAM将率先面向笔记本推出,但台式机用户在今年年底之前应该也能买到采用相同技术的产品。

以上是给大家介绍的三星率先实现10nm DRAM芯片量产 年内上市,希望对您有所帮助!

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